IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP (IPA50R800CEXKSA2)
Part Number: IPA50R800CEXKSA2
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: CoolMOS™ CE
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.5A, 13V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 130µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 280pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 26.4W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220 Full Pack
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
Цена по запросу