IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP (IPA50R190CEXKSA2)
Part Number: IPA50R190CEXKSA2
Documents / Media: datasheets IPA50R190CEXKSA2
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: CoolMOS™ CE
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 6.2A, 13V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 510µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 47.2nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1137pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 32W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO220 Full Pack
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
89 р.