MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP (IPA50R190CEXKSA2)

Part Number: IPA50R190CEXKSA2


Documents / Media: datasheets IPA50R190CEXKSA2


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: CoolMOS™ CE
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 6.2A, 13V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 510µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 47.2nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1137pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 32W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO220 Full Pack
  • Корпус: TO-220-3 Full Pack

89 р.