IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 4VSON (IPL65R725CFDAUMA1)
Part Number: IPL65R725CFDAUMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725 mOhm @ 2.1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 200µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 615pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 62.5W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: Thin-Pak (8x8)
- Корпус: 4-PowerTSFN
Цена по запросу