MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 (BSZ105N04NSGATMA1)

Part Number: BSZ105N04NSGATMA1

Documents / Media: datasheets BSZ105N04NSGATMA1

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 14µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 20V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TSDSON-8
  • Корпус: 8-PowerTDFN

Цена по запросу