IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK (IRLR8113TRRPBF)
Part Number: IRLR8113TRRPBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.25V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2920pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 89W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D-Pak
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу