IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 59A TO-262 (IRF3707ZCLPBF)
Part Number: IRF3707ZCLPBF
Documents / Media: datasheets IRF3707ZCLPBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 21A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.25V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1210pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 57W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-262
- Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Цена по запросу