IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK (IRLR3103PBF)
Part Number: IRLR3103PBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 33A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 107W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D-Pak
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу