IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK (SPU30N03S2-08)
Part Number: SPU30N03S2-08
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 30A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 85µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2170pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 125W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: P-TO251-3
- Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Цена по запросу