IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 28A MX (IRF8304MTR1PBF)
Part Number: IRF8304MTR1PBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 28A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.35V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DIRECTFET™ MX
- Корпус: DirectFET™ Isometric MX
Цена по запросу