MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6

MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6 (IRFH8316TRPBF)

Part Number: IRFH8316TRPBF

Documents / Media: datasheets IRFH8316TRPBF

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95 mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 50µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3610pF @ 10V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-PQFN (5x6)
  • Корпус: 8-PowerTDFN

Цена по запросу