IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET (IRF6607)
Part Number: IRF6607
Documents / Media: datasheets IRF6607
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 94A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6930pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DIRECTFET™ MT
- Корпус: DirectFET™ Isometric MT
Цена по запросу