IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 (BSS306NH6327XTSA1)
Part Number: BSS306NH6327XTSA1
Documents / Media: datasheets BSS306NH6327XTSA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 11µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 275pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 500mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-23-3
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
7 р.