IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN (IRLHM630TRPBF)
Part Number: IRLHM630TRPBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 50µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 62nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3170pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PQFN (3x3)
- Корпус: 8-VQFN Exposed Pad
Цена по запросу