MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 (IPB180N03S4L01ATMA1)

Part Number: IPB180N03S4L01ATMA1

Documents / Media: datasheets IPB180N03S4L01ATMA1

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 140µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 239nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±16V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 17600pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 188W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TO263-7-3
  • Корпус: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Цена по запросу