MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN

MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN (IRFH5306TR2PBF)

Part Number: IRFH5306TR2PBF

Documents / Media: datasheets IRFH5306TR2PBF

Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT)
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.35V @ 25µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1125pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PQFN (5x6) Single Die
  • Корпус: 8-PowerVDFN

Цена по запросу