IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB (IRL8113)
Part Number: IRL8113
Documents / Media: datasheets IRL8113
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 21A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.25V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2840pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 110W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220AB
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу