IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 100A DPAK (SPD100N03S2L04T)
Part Number: SPD100N03S2L04T
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 89.7nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3320pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 150W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO252-5
- Корпус: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Цена по запросу