IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK (IRFB4137PBF)
Part Number: IRFB4137PBF
Documents / Media: datasheets IRFB4137PBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 300V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 24A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5168pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 341W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220
- Корпус: TO-220-3
177 р.