IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 25V 81A IPAK (IRLU8256PBF)
Part Number: IRLU8256PBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 25A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.35V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1470pF @ 13V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 63W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: I-PAK
- Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Цена по запросу