IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK (IPB06N03LAT)
Part Number: IPB06N03LAT
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 40µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2653pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 83W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO263-3-2
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу