![MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8](/site/images/not_found.jpg?603932820)
IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8 (BSC018NE2LSIATMA1)
Part Number: BSC018NE2LSIATMA1
Documents / Media: datasheets BSC018NE2LSIATMA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 30A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 12V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TDSON-8
- Корпус: 8-PowerTDFN
Цена по запросу