MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2

MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 (BSB013NE2LXIXUMA1)

Part Number: BSB013NE2LXIXUMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4400pF @ 12V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Корпус: 3-WDSON

88 р.