IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET (IRF6710S2TR1PBF)
Part Number: IRF6710S2TR1PBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 37A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 12A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.4V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 13V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.8W (Ta), 15W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DIRECTFET S1
- Корпус: DirectFET™ Isometric S1
Цена по запросу