IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 (BSC037N025S G)
Part Number: BSC037N025S G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 50µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 29nC @ 5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3660pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TDSON-8
- Корпус: 8-PowerTDFN
Цена по запросу