IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 (BSP129E6327T)
Part Number: BSP129E6327T
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: SIPMOS®
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 240V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 108µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 108pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: Depletion Mode
- Рассеивание мощности (Макс): 1.8W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-SOT223-4
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
Цена по запросу