IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 (BSS87E6327T)
Part Number: BSS87E6327T
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: SIPMOS®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 240V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.8V @ 108µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 97pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-SOT89-4-2
- Корпус: TO-243AA
Цена по запросу