MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB (IRFB4233PBF)

Part Number: IRFB4233PBF


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 230V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 28A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5510pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 370W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-220AB
  • Корпус: TO-220-3

Цена по запросу