IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 20V 48A TO-220AB (IRL3202PBF)
Part Number: IRL3202PBF
Documents / Media: datasheets IRL3202PBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 29A, 7V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 700mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 69W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220AB
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу