MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET (IRF6620TRPBF)

Part Number: IRF6620TRPBF

Documents / Media: datasheets IRF6620TRPBF

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 27A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.45V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4130pF @ 10V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: DIRECTFET™ MX
  • Корпус: DirectFET™ Isometric MX

Цена по запросу