MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN (IRLHM620TR2PBF)

Part Number: IRLHM620TR2PBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 50µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 78nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±12V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3620pF @ 10V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PQFN (3x3)
  • Корпус: 8-VQFN Exposed Pad

Цена по запросу