IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK (IRL3502SPBF)
Part Number: IRL3502SPBF
Documents / Media: datasheets IRL3502SPBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 64A, 7V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 700mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 140W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D2PAK
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу