IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK (IRF3711SPBF)
Part Number: IRF3711SPBF
Documents / Media: datasheets IRF3711SPBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2980pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D2PAK
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу