IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK (IRLR6225TRPBF)
Part Number: IRLR6225TRPBF
Documents / Media: datasheets IRLR6225TRPBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 21A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 50µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 72nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3770pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 63W (Tc)
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D-Pak
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу