MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK (IRF630NSTRLPBF)

Part Number: IRF630NSTRLPBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 5.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 575pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 82W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: D2PAK
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

41 р.