MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

MOSFET N-CH 200 D2PAK-3 (IPB110N20N3LFATMA1)

Part Number: IPB110N20N3LFATMA1

Documents / Media: datasheets IPB110N20N3LFATMA1

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: OptiMOS™ 3
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 88A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.2V @ 260µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 650pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 250W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TO263-3
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Цена по запросу