IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK (IRFS52N15DTRRP)
Part Number: IRFS52N15DTRRP
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 150V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 36A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2770pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D2PAK
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 р.