MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK (IRFS52N15DTRRP)

Part Number: IRFS52N15DTRRP


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 150V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 36A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2770pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: D2PAK
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

80 р.