MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC (IRF7476)

Part Number: IRF7476


Documents / Media: datasheets IRF7476


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.9V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±12V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2550pF @ 6V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-SO
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Цена по запросу