IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB (IRF7665S2TRPBF)
Part Number: IRF7665S2TRPBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 8.9A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 515pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DIRECTFET SB
- Корпус: DirectFET™ Isometric SB
Цена по запросу