MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 (IPB020N10N5LFATMA1)

Part Number: IPB020N10N5LFATMA1

Documents / Media: datasheets IPB020N10N5LFATMA1

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: OptiMOS™-5
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.1V @ 270µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 840pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 313W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TO263-3
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

394 р.