MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 (BSF134N10NJ3GXUMA1)

Part Number: BSF134N10NJ3GXUMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 40µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.2W (Ta), 43W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Корпус: 3-WDSON

82 р.