MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 (IPB083N10N3GATMA1)

Part Number: IPB083N10N3GATMA1

Documents / Media: datasheets IPB083N10N3GATMA1

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 73A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 75µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3980pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 125W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: D²PAK (TO-263AB)
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

58 р.