IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 (IPP70N10S312AKSA1)
Part Number: IPP70N10S312AKSA1
Documents / Media: datasheets IPP70N10S312AKSA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 70A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 83µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4355pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 125W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO220-3-1
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу