MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11

MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11 (IPS12CN10LGBKMA1)

Part Number: IPS12CN10LGBKMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 69A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.4V @ 83µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5600pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 125W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO251-3
  • Корпус: TO-251-3 Stub Leads, IPak

Цена по запросу