IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK (IRFR3412TRRPBF)
Part Number: IRFR3412TRRPBF
Documents / Media: datasheets IRFR3412TRRPBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 29A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3430pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 140W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D-Pak
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу