IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC (IRF7452)
Part Number: IRF7452
Documents / Media: datasheets IRF7452
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2.7A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 930pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SO
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу