IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 (BSC252N10NSFGATMA1)
Part Number: BSC252N10NSFGATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 40A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2 mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 43µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 78W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TDSON-8
- Корпус: 8-PowerTDFN
Цена по запросу