IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 (BSP123E6327T)
Part Number: BSP123E6327T
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: SIPMOS®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 370mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.8V @ 50µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 70pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.79W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-SOT223-4
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
Цена по запросу