IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP (IRLI2910PBF)
Part Number: IRLI2910PBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 16A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 140nC @ 5V
- Vgs (Max): ±16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3700pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 63W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220AB Full-Pak
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
88 р.