MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK

MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK (IRFU3410PBF)

Part Number: IRFU3410PBF

Documents / Media: datasheets IRFU3410PBF

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 18A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1690pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3W (Ta), 110W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: IPAK (TO-251)
  • Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Цена по запросу