IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK (IRLR3410TRPBF)
Part Number: IRLR3410TRPBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 34nC @ 5V
- Vgs (Max): ±16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 79W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D-Pak
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
33 р.